![SIE876DF-T1-GE3](http://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/Pkg%205946.jpg)
製造業者識別番号 | SIE876DF-T1-GE3 |
---|---|
メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
利用可能な数量 | 114110 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | SIE876DF-T1-GE3.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します SIE876DF-T1-GE3 24時間以内に。
- 品番
- SIE876DF-T1-GE3
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 60V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 6.1 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 4.4V @ 250µA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 77nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±20V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 3100pF @ 30V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 5.2W (Ta), 125W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 10-PolarPAK® (L)
- パッケージ/ケース
- 10-PolarPAK® (L)
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIE876DF-T1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
-
VISHAYEdgeboard Connectors, Dual Readout, 0.125" [3.17mm] C-C, Standard and Right Angle Terminals
-
-
-
-
-
-
-
-
-
関連キーワード "SIE87"
品番 | メーカー | 説明 |
---|---|---|
SIE874DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK |
SIE8756 | STMicroelectronics | SIE8756 STM IC DIP8 |
SIE876DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK |
SIE878DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK |