製造業者識別番号SIA414DJ-T1-GE3
メーカー/ブランドVishay Siliconix
利用可能な数量191970 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SIA414DJ-T1-GE3.pdf

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品番
SIA414DJ-T1-GE3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
8V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id
800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
32nC @ 5V
Vgs(最大)
±5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1800pF @ 4V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-70-6
重量
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応用
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交換部品
SIA414DJ-T1-GE3

によって作られた関連部品 Vishay Siliconix

関連キーワード "SIA41"

品番 メーカー 説明
SIA411DJ VISHAY SIA411DJ original vishay components
SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
SIA413DJ-T1-E3 VISHAY SIA413DJ-T1-E3 original vishay components
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
SIA414DJ VISHAY Dual N-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
SIA415DJ-E3 VISHAY SIA415DJ-E3 original vishay components
SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
SIA417DJ-E3 VISHAY SIA417DJ-E3 original vishay components