製造業者識別番号SI7252DP-T1-GE3
メーカー/ブランドVishay Siliconix
利用可能な数量52010 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SI7252DP-T1-GE3.pdf

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品番
SI7252DP-T1-GE3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
36.7A
Rds On(Max)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
27nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1170pF @ 50V
電力 - 最大
46W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
重量
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応用
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交換部品
SI7252DP-T1-GE3

によって作られた関連部品 Vishay Siliconix

関連キーワード "SI725"

品番 メーカー 説明
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO