SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | SSM6J213FE(TE85L,F |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 利用可能な数量 | 177520 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM6J213FE(TE85L,F.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します SSM6J213FE(TE85L,F 24時間以内に。
- 品番
- SSM6J213FE(TE85L,F
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 20V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 2.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 1V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 4.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大）
- ±8V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 290pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 500mW (Ta)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- ES6
- パッケージ/ケース
- SOT-563, SOT-666
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SSM6J213FE(TE85L,F
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
関連キーワード "SSM6J2"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 |
| SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 |
| SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
| SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 |
| SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH |
| SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 |
| SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |