製造業者識別番号BSM180D12P2C101
メーカー/ブランドRohm Semiconductor
利用可能な数量167830 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSM180D12P2C101.pdf

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品番
BSM180D12P2C101
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能
Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
180A
Rds On(Max)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 35.2mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
-
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
23000pF @ 10V
電力 - 最大
1130W
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
-
パッケージ/ケース
Module
サプライヤデバイスパッケージ
Module
重量
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応用
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交換部品
BSM180D12P2C101

によって作られた関連部品 Rohm Semiconductor

関連キーワード "BSM18"

品番 メーカー 説明
BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor SIC POWER MODULE