A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc. 配給業者
製造業者識別番号 | A2G35S200-01SR3 |
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メーカー/ブランド | NXP USA Inc. |
利用可能な数量 | 104860 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | A2G35S200-01SR3.pdf |
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- 品番
- A2G35S200-01SR3
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- トランジスタタイプ
- LDMOS
- 周波数
- 3.4GHz ~ 3.6GHz
- 利得
- 16.1dB
- 電圧 - テスト
- 48V
- 電流定格
-
- ノイズフィギュア
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- 電流 - テスト
- 291mA
- 電力出力
- 180W
- 電圧 - 定格
- 125V
- パッケージ/ケース
- NI-400S-2S
- サプライヤデバイスパッケージ
- NI-400S-2S
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- A2G35S200-01SR3
によって作られた関連部品 NXP USA Inc.
関連キーワード "A2G35"
品番 | メーカー | 説明 |
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A2G35S160-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |