製造業者識別番号APT65GP60B2G
メーカー/ブランドMicrosemi Corporation
利用可能な数量21550 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 600V 100A 833W TMAX
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード APT65GP60B2G.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します APT65GP60B2G 24時間以内に。

品番
APT65GP60B2G
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
PT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
100A
電流 - コレクタパルス(Icm)
250A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
2.7V @ 15V, 65A
電力 - 最大
833W
スイッチングエネルギー
605µJ (on), 896µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
210nC
Td(オン/オフ)@ 25℃
30ns/91ns
テスト条件
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-247-3 Variant
サプライヤデバイスパッケージ
-
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
APT65GP60B2G

によって作られた関連部品 Microsemi Corporation

関連キーワード "APT6"

品番 メーカー 説明
APT6017LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
APT6030BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
APT6040BN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT6040BNG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT60D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
APT60D100LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3
APT60D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
APT60D120SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3
APT60D20BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 60A TO247
APT60D20LCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264
APT60D30BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 300V 60A TO247