APT65GP60B2G Microsemi Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | APT65GP60B2G |
|---|---|
| Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 21550 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | APT65GP60B2G.pdf |
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- Numero di parte
- APT65GP60B2G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Not For New Designs
- Tipo IGBT
- PT
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 600V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 100A
- Corrente - Collector Pulsed (Icm)
- 250A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 65A
- Potenza - Max
- 833W
- Cambiare energia
- 605µJ (on), 896µJ (off)
- Tipo di input
- Standard
- Carica del cancello
- 210nC
- Td (acceso / spento) @ 25 ° C
- 30ns/91ns
- Condizione di test
- 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
- Tempo di recupero inverso (trr)
-
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto / caso
- TO-247-3 Variant
- Pacchetto dispositivo fornitore
-
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- APT65GP60B2G
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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| APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD |
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| APT60D120SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 |
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| APT60D20LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264 |
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