製造業者識別番号SPD02N60C3BTMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量96290 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SPD02N60C3BTMA1.pdf

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品番
SPD02N60C3BTMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.9V @ 80µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
12.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
200pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
25W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
SPD02N60C3BTMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "SPD02"

品番 メーカー 説明
SPD02N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
SPD02N50C3BTMA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY
SPD02N60C3BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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