IRF9910TRPBF Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IRF9910TRPBF |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 197780 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF9910TRPBF.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IRF9910TRPBF 24時間以内に。
- 品番
- IRF9910TRPBF
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- 2 N-Channel (Dual)
- FET機能
- Logic Level Gate
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 20V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 10A, 12A
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 9.3 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.55V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 11nC @ 4.5V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 900pF @ 10V
- 電力 - 最大
- 2W
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- パッケージ/ケース
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-SO
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IRF9910TRPBF
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IRF9"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IRF91109A | HARRIS | IRF91109A HARRIS IC ORIGINAL |
| IRF9110T | VISHAY | IRF9110T original vishay components |
| IRF9110TF | FAIRCHILD | IRF9110TF FAIRCHILD IC TO252 |
| IRF9130 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9131 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9132 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9133 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9140 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9141 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9142 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9143 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9150 | INTERSIL | -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET IC |