IRF9910TRPBF Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | IRF9910TRPBF |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 197780 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IRF9910TRPBF.pdf |
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- Numéro d'article
- IRF9910TRPBF
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Caractéristique
- Logic Level Gate
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 20V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 10A, 12A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9.3 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.55V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 11nC @ 4.5V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 900pF @ 10V
- Puissance - Max
- 2W
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Package de périphérique fournisseur
- 8-SO
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IRF9910TRPBF
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| IRF9132 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9133 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9140 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9141 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9142 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9143 | SAMSUNG | P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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