| 製造業者識別番号 | IPI032N06N3 G |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 205170 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード(D / C) | New |
| データシートダウンロード | IPI032N06N3 G.pdf |
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- 品番
- IPI032N06N3 G
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 60V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 3.2 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 4V @ 118µA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 165nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±20V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 13000pF @ 30V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 188W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TO262-3
- パッケージ/ケース
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPI032N06N3 G
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IPI0"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A |
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| IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 |
| IPI030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| IPI030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A |
| IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
| IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A |
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