IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IPDD60R102G7XTMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 182510 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPDD60R102G7XTMA1.pdf |
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- 品番
- IPDD60R102G7XTMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 600V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 102 mOhm @ 7.8A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 390µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 1320pF @ 400V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 139W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-HDSOP-10-1
- パッケージ/ケース
- 10-PowerSOP Module
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPDD60R102G7XTMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IPDD6"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 |