製造業者識別番号IPD350N06LGBTMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量40190 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPD350N06LGBTMA1.pdf

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品番
IPD350N06LGBTMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
35 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 28µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
13nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
800pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
68W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
IPD350N06LGBTMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD35"

品番 メーカー 説明
IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3