製造業者識別番号IPD096N08N3GATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量40450 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 80V 73A
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPD096N08N3GATMA1.pdf

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品番
IPD096N08N3GATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
9.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 46µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
35nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
2410pF @ 40V
FET機能
-
消費電力(最大)
100W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
IPD096N08N3GATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD09"

品番 メーカー 説明
IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IPD090N03LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252
IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A
IPD096N08N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
IPD09N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD09N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A DPAK