製造業者識別番号IPB60R280C6ATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量121930 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB60R280C6ATMA1.pdf

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品番
IPB60R280C6ATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 430µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
43nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
950pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
104W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
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交換部品
IPB60R280C6ATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB60"

品番 メーカー 説明
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IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
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