IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IPB60R080P7ATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 184130 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH TO263-3 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB60R080P7ATMA1.pdf |
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- 品番
- IPB60R080P7ATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 650V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 37A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 80 mOhm @ 11.8A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 590µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 51nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2180pF @ 400V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 129W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- D²PAK (TO-263AB)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPB60R080P7ATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IPB60"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3 |
| IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 |
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 |
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |