IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies 配給業者
製造業者識別番号 | IPB35N10S3L26ATMA1 |
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メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
利用可能な数量 | 64020 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH TO263-3 |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | IPB35N10S3L26ATMA1.pdf |
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- 品番
- IPB35N10S3L26ATMA1
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 26.3 mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 2.4V @ 39µA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 39nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±20V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 2700pF @ 25V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 71W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- D²PAK (TO-263AB)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IPB35N10S3L26ATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IPB35N"
品番 | メーカー | 説明 |
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IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |