製造業者識別番号IPB180N04S4LH0ATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量110790 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH TO263-7
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB180N04S4LH0ATMA1.pdf

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品番
IPB180N04S4LH0ATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.2V @ 180µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
310nC @ 10V
Vgs(最大)
+20V, -16V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
24440pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量
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応用
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交換部品
IPB180N04S4LH0ATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB180"

品番 メーカー 説明
IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7
IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7
IPB180N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7
IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7