製造業者識別番号IPB081N06L3GATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量67220 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB081N06L3GATMA1.pdf

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品番
IPB081N06L3GATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
8.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.2V @ 34µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
29nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
4900pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
79W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
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交換部品
IPB081N06L3GATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB08"

品番 メーカー 説明
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPB080N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
IPB085N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB08CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
IPB08CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3