製造業者識別番号IPB048N06LGATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量25350 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB048N06LGATMA1.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IPB048N06LGATMA1 24時間以内に。

品番
IPB048N06LGATMA1
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 270µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
225nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
7600pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
300W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
IPB048N06LGATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB04"

品番 メーカー 説明
IPB041N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
IPB048N06LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
IPB049N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V TO263-3
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IPB04N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK