製造業者識別番号IPAN60R650CEXKSA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量41050 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPAN60R650CEXKSA1.pdf

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品番
IPAN60R650CEXKSA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
9.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3.5V @ 200µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
20.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
440pF @ 100V
FET機能
Super Junction
消費電力(最大)
28W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
重量
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応用
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交換部品
IPAN60R650CEXKSA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPAN6"

品番 メーカー 説明
IPAN60R650CEXKSA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
IPAN60R800CEXKSA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3