IDB10S60C Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | IDB10S60C |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 85330 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
| 製品カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IDB10S60C.pdf |
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- 品番
- IDB10S60C
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- ダイオードタイプ
- Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - DC逆（Vr）（最大）
- 600V
- 電流 - 平均整流（Io）
- 10A (DC)
- 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If
- 1.7V @ 10A
- 速度
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間（trr）
- 0ns
- 電流 - 逆リーク（Vr）
- 140µA @ 600V
- 容量Vr、F
- 480pF @ 1V, 1MHz
- 取付タイプ
- Surface Mount
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤデバイスパッケージ
- D2PAK
- 動作温度 - ジャンクション
- -55°C ~ 175°C
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- IDB10S60C
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "IDB"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| IDB10S60C | Infineon Technologies | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
| IDB10S60CATMA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK |
| IDB12E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3 |
| IDB15E60 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 |
| IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 |
| IDB18E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3 |
| IDB23E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3 |
| IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3 |
| IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 |