製造業者識別番号BSZ900N20NS3GATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量137600 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSZ900N20NS3GATMA1.pdf

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品番
BSZ900N20NS3GATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 30µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
11.6nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
920pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
62.5W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
重量
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応用
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交換部品
BSZ900N20NS3GATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "BSZ900"

品番 メーカー 説明
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON