BSZ018NE2LSATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 177080 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSZ018NE2LSATMA1.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します BSZ018NE2LSATMA1 24時間以内に。
- 品番
- BSZ018NE2LSATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 25V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 23A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 1.8 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 39nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2800pF @ 12V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2.1W (Ta), 69W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TSDSON-8-FL
- パッケージ/ケース
- 8-PowerTDFN
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- BSZ018NE2LSATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
.jpg "98-0268")
関連キーワード "BSZ01"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON |
| BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON |
| BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON |
| BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 |
| BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 |
| BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 |