製造業者識別番号BSG0810NDIATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量112440 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSG0810NDIATMA1.pdf

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品番
BSG0810NDIATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
19A, 39A
Rds On(Max)@ Id、Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
8.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1040pF @ 12V
電力 - 最大
2.5W
動作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TISON-8
重量
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応用
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交換部品
BSG0810NDIATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "BSG08"

品番 メーカー 説明
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TISON
BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON