製造業者識別番号DMN80H2D0SCTI
メーカー/ブランドDiodes Incorporated
利用可能な数量86040 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMN80H2D0SCTI.pdf

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品番
DMN80H2D0SCTI
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
35.4nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1253pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
41W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
ITO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
重量
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応用
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交換部品
DMN80H2D0SCTI

によって作られた関連部品 Diodes Incorporated

関連キーワード "DMN8"

品番 メーカー 説明
DMN80H2D0SCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
DMN886 SAMSUNG SAMSUNG orginal components