製造業者識別番号CY7C11501KV18-400BZXC
メーカー/ブランドCypress Semiconductor Corp
利用可能な数量198010 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード CY7C11501KV18-400BZXC.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します CY7C11501KV18-400BZXC 24時間以内に。

品番
CY7C11501KV18-400BZXC
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Synchronous, DDR II+
メモリー容量
18Mb (512K x 36)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
-
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.9 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
165-LBGA
サプライヤデバイスパッケージ
165-FBGA (13x15)
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
CY7C11501KV18-400BZXC

によって作られた関連部品 Cypress Semiconductor Corp

関連キーワード "CY7C115"

品番 メーカー 説明
CY7C11501KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C11501KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1150KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1150KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1150KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1150KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
CY7C1150V18 CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1150V18-333BZC CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1150V18-333BZI CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1150V18-333BZXC CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1150V18-333BZXI CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC
CY7C1150V18-375BZC CYPRESS 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC