codice articolo del costruttoreW947D2HBJX6E
Produttore / MarcaWinbond Electronics
quantité disponible217530 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
W947D2HBJX6E
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria
128Mb (4M x 32)
Frequenza di clock
166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
5ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
90-VFBGA (8x13)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
W947D2HBJX6E

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D6HBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
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W947D6HBHX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
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