codice articolo del costruttoreSIS606BDN-T1-GE3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible79480 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SIS606BDN-T1-GE3
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 50V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso
PowerPAK® 1212-8
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SIS606BDN-T1-GE3

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Numero di parte fabbricante Descrizione
SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212