codice articolo del costruttoreSIR814DP-T1-GE3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible47030 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIR814DP-T1-GE3.pdf

Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo SIR814DP-T1-GE3 entro 24 ore.

Numero di parte
SIR814DP-T1-GE3
Stato di produzione (ciclo di vita)
Contact us
Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 20V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso
PowerPAK® SO-8
Peso
Contact us
Applicazione
Email for details
Pezzo di ricambio
SIR814DP-T1-GE3

Componenti correlati realizzati da Vishay Siliconix

Parole chiave correlate per "SIR81"

Numero di parte fabbricante Descrizione
SIR812DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR814DP VISHAY SIR814DP original vishay components
SIR814DP-T1-E3 VISHAY SIR814DP-T1-E3 original vishay components
SIR814DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8