SIHG050N60E-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SIHG050N60E-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 106520 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 600V |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIHG050N60E-GE3.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo SIHG050N60E-GE3 entro 24 ore.
- Numero di parte
- SIHG050N60E-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 51A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 50 mOhm @ 23A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 130nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±30V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 3459pF @ 100V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 278W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-247AC
- Pacchetto / caso
- TO-247-3
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SIHG050N60E-GE3
Componenti correlati realizzati da Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
-
-
-
VISHAYWet Tantalum Capacitors with Glass to Tantalum Hermetic Seal CECC 30202 Approved -
-
.jpg "PHP00805H77R7BST1")
Parole chiave correlate per "SIHG0"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| SIHG050N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V |