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SIDR626DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SIDR626DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 119460 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CHAN 60V |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIDR626DP-T1-GE3.pdf |
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- Numero di parte
- SIDR626DP-T1-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 42.8A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.7 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 102nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 5130pF @ 30V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PowerPAK® SO-8DC
- Pacchetto / caso
- PowerPAK® SO-8
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SIDR626DP-T1-GE3
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
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| SIDR622DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 150V |
| SIDR626DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60V |
| SIDR638DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 100A SO-8 |
| SIDR668DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V |
| SIDR680DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V |