codice articolo del costruttoreSI5475BDC-T1-GE3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible27600 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SI5475BDC-T1-GE3
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 8V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 6V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso
8-SMD, Flat Lead
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SI5475BDC-T1-GE3

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