SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix Distributore
codice articolo del costruttore | SI4900DY-T1-E3 |
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Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
quantité disponible | 91850 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SI4900DY-T1-E3.pdf |
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- Numero di parte
- SI4900DY-T1-E3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 5.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 58 mOhm @ 4.3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 665pF @ 15V
- Potenza - Max
- 3.1W
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-SO
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SI4900DY-T1-E3
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
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