SI3590DV-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SI3590DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 84300 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SI3590DV-T1-GE3.pdf |
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- Numero di parte
- SI3590DV-T1-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N and P-Channel
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 2.5A, 1.7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 77 mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.5nC @ 4.5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Potenza - Max
- 830mW
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 6-TSOP
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SI3590DV-T1-GE3
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Parole chiave correlate per "SI359"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| SI3590DV | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si3590DV-T1 | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3590DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
| SI3590DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| SI3590DV_06 | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3590DV_08 | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |