codice articolo del costruttoreTP65H050WS
Produttore / MarcaTransphorm
quantité disponible23070 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizione650 V 34 A CASCODE GAN FET
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TP65H050WS
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 400V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
119W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / caso
TO-247-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TP65H050WS

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