codice articolo del costruttoreTPN2010FNH,L1Q
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible179750 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TPN2010FNH,L1Q
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
5.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta), 39W (Tc)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso
8-PowerVDFN
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TPN2010FNH,L1Q

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