TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TPC8113(TE12L,Q) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 41180 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPC8113(TE12L,Q).pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo TPC8113(TE12L,Q) entro 24 ore.
- Numero di parte
- TPC8113(TE12L,Q)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 107nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4500pF @ 10V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1W (Ta)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Pacchetto / caso
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPC8113(TE12L,Q)
Componenti correlati realizzati da Toshiba Semiconductor and Storage
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg "TC7SET34FU,LJ(CB")
Parole chiave correlate per "TPC81"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TPC8106-H-TE12L | CYPRESS | TPC8106-H-TE12L CYPRESS IC ORIGINAL |
| TPC8107(TE12L，Q) | Texas Instruments （TI） | TPC8107(TE12L，Q) TI Original IC |
| TPC8109(TE12L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP |
| TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B |
| TPC8111(T2LIBM2Q，M | Texas Instruments （TI） | TPC8111(T2LIBM2Q，M TI Original IC |
| TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8114(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8114(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| TPC8117(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8117(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8124(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8124(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8125,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP |