codice articolo del costruttoreTPC8021-H(TE12LQ,M
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible163590 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TPC8021-H(TE12LQ,M
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 10V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TPC8021-H(TE12LQ,M

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Numero di parte fabbricante Descrizione
TPC8021-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
TPC8022-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
TPC8026(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
TPC8026(TE12L,Q,M) Texas Instruments (TI) TPC8026(TE12L,Q,M) TI Original IC
TPC8028(TE12L,Q,M) Texas Instruments (TI) TPC8028(TE12L,Q,M) TI Original IC