TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
codice articolo del costruttore | TPC6010-H(TE85L,FM |
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Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 218170 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6 |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | TPC6010-H(TE85L,FM.pdf |
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- Numero di parte
- TPC6010-H(TE85L,FM
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 6.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 59 mOhm @ 3.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 100µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 830pF @ 10V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 700mW (Ta)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- VS-6 (2.9x2.8)
- Pacchetto / caso
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Peso
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- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPC6010-H(TE85L,FM
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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TPC6011(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 6A VS6 |
TPC6012(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |