codice articolo del costruttoreTK3R1E04PL,S1X
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible146400 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TK3R1E04PL,S1X
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63.4nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4670pF @ 20V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
87W (Tc)
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / caso
TO-220-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TK3R1E04PL,S1X

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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