codice articolo del costruttoreTK39J60W,S1VQ
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible39020 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TK39J60W,S1VQ
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
Caratteristica FET
Super Junction
Dissipazione di potenza (max)
270W (Tc)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P(N)
Pacchetto / caso
TO-3P-3, SC-65-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TK39J60W,S1VQ

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