codice articolo del costruttoreHN4K03JUTE85LF
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible129970 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 20V 0.1A USV
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
HN4K03JUTE85LF
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (massimo)
10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
8.5pF @ 3V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200mW (Ta)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
USV
Pacchetto / caso
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
HN4K03JUTE85LF

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Numero di parte fabbricante Descrizione
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 0.1A USV