codice articolo del costruttoreTC58BYG1S3HBAI6
Produttore / MarcaToshiba Memory America, Inc.
quantité disponible36790 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TC58BYG1S3HBAI6
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Non-Volatile
Formato di memoria
FLASH
Tecnologia
FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria
2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
25ns
Tempo di accesso
25ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
67-VFBGA (6.5x8)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TC58BYG1S3HBAI6

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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