codice articolo del costruttoreGPAS1001 MNG
Produttore / MarcaTaiwan Semiconductor Corporation
quantité disponible129460 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneDIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
categoria di prodottoDiodi - Raddrizzatori - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
GPAS1001 MNG
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo diodo
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)
50V
Corrente - Rettificato medio (Io)
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 10A
Velocità
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr
5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AB (D²PAK)
Temperatura operativa - Giunzione
-55°C ~ 150°C
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
GPAS1001 MNG

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Numero di parte fabbricante Descrizione
GPAS1001 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
GPAS1002 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
GPAS1003 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
GPAS1004 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
GPAS1005 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
GPAS1006 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
GPAS1007 MNG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 10A TO263AB