codice articolo del costruttoreSCT2H12NZGC11
Produttore / MarcaRohm Semiconductor
quantité disponible192640 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 1700V 3.7A
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SCT2H12NZGC11
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 18V
Vgs (massimo)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
184pF @ 800V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PFM
Pacchetto / caso
TO-3PFM, SC-93-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SCT2H12NZGC11

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