codice articolo del costruttoreRP1E090XNTCR
Produttore / MarcaRohm Semiconductor
quantité disponible203660 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 30V 9A MPT6
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
RP1E090XNTCR
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 10V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
MPT6
Pacchetto / caso
6-SMD, Flat Leads
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
RP1E090XNTCR

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