.jpg)
ES6U1T2R Rohm Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | ES6U1T2R |
|---|---|
| Produttore / Marca | Rohm Semiconductor |
| quantité disponible | 115200 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | ES6U1T2R.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo ES6U1T2R entro 24 ore.
- Numero di parte
- ES6U1T2R
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Not For New Designs
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 12V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 1.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.4nC @ 4.5V
- Vgs (massimo)
- ±10V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 290pF @ 6V
- Caratteristica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipazione di potenza (max)
- 700mW (Ta)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 6-WEMT
- Pacchetto / caso
- SOT-563, SOT-666
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- ES6U1T2R
Componenti correlati realizzati da Rohm Semiconductor
.jpg "KTR10EZPJ120")
Parole chiave correlate per "ES"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| ES 1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL |
| ES 1F | Sanken | DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL |
| ES 1FV | Sanken | DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL |
| ES 1FV0 | Sanken | DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL |
| ES 1FV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL |
| ES 1V | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL |
| ES 1V0 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL |
| ES 1V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL |
| ES 1Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL |
| ES 1ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL |
| ES 1ZV0 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL |
| ES 1ZV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL |