Référence fabricantES6U1T2R
Fabricant / marqueRohm Semiconductor
quantité disponible115200 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
ES6U1T2R
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
FET Type
P-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
FET Caractéristique
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
6-WEMT
Paquet / cas
SOT-563, SOT-666
Poids
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Application
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Pièce de rechange
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